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半導(dǎo)體物理試題及答案
半導(dǎo)體物理是一門(mén)專(zhuān)業(yè)性比較強(qiáng)的課程，要學(xué)好這門(mén)課程，同學(xué)們還是要用心去學(xué)才能學(xué)好半導(dǎo)體物理。下面是陽(yáng)光網(wǎng)小編給大家整理的半導(dǎo)體物理試題及答案，歡迎大家學(xué)習(xí)參考。
半導(dǎo)體物理試題及答案
一、解釋下列概念：(20 分)
1、霍爾效應(yīng)：
2、共有化運(yùn)動(dòng)
3、雜質(zhì)補(bǔ)償
4、肖特基勢(shì)壘
5、 非平衡載流 子壽命
二、簡(jiǎn)述硅和砷化鎵能帶結(jié)構(gòu)的異同。(10 分)
三、簡(jiǎn)述產(chǎn)生半導(dǎo)體激光的基本條件。(10 分)
四、簡(jiǎn)述半導(dǎo)體光吸收的.主要物理過(guò)程，并在能帶示意圖上定性表示之。(10 分)
五、試述什么是簡(jiǎn)并、 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體;給出非簡(jiǎn)并、弱簡(jiǎn)并及簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的區(qū)分標(biāo)準(zhǔn)， 并說(shuō)明其含義。(15 分)
六、請(qǐng)解釋遷移 率概念，并說(shuō)明對(duì)于半導(dǎo)體硅而言影響其遷移率的主要因素。(15 分)
七、請(qǐng)定性畫(huà)出n-n 型異質(zhì)結(jié)平衡 時(shí)能帶圖，并給予簡(jiǎn)要解釋。(15 分)
八、 用n 型Si 襯底制成MOS 電容，解釋該結(jié)構(gòu)在積累、耗盡、弱 反型、強(qiáng)反型下的 電容值變化規(guī)律，并畫(huà)出高頻、低頻的C-V 曲線。(15 分)
九、 在半導(dǎo)體硅材料中摻 入施主雜質(zhì)濃度 N D = 10 15 /cm 3 ，受主雜質(zhì)濃度 N A = 4× 10 14 /cm 3 ;設(shè)室溫下本征硅材料的電 阻率? i =2.2×10 5 ?.cm，假設(shè)電子和空穴的遷 移率分別為? n = 1350cm 2 /(V.S), ? p = 500cm 2 /(V.S)，不考慮雜質(zhì)濃度對(duì)遷移率的影 響，求摻雜樣品的電導(dǎo)率。(20 分) 十、 施主濃度N D = 10 16 /cm 3 的n 型單晶硅片，求室溫下功函數(shù)是多少?若忽略表面 態(tài)的影響，當(dāng)它同金屬 Al、Au、Mo 接觸時(shí)， 分別形成何種接觸?并定性畫(huà)出 該n 型硅與金屬Al
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