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半導(dǎo)體器件試題(一)
半導(dǎo)體器件期末試題(一)
一、(10 分)在下圖中畫出發(fā)射區(qū)、基區(qū)和收集區(qū)少子分布示意圖,
說明晶體管的工作模式和工作條件。
二、(20 分)求p-n 結(jié)長二極管n 區(qū)和p 區(qū)的少子分布,電流分布In
(x)、Ip(x)和總電流I。
三、(10 分)用費米能級恒定的觀點解釋平衡p-n 結(jié)空間電荷區(qū)的形
成。畫出空間電荷取得示意圖和平衡p-n 界的能帶圖。
四、(10 分)導(dǎo)出飽和電流I0 對溫度T 的依賴關(guān)系。
五、(10 分)說明VTH=Фms+ΨSi-Q0/C0-QB/C0 中的各項物理意義,如果器
件為n 溝MOST,判斷上式右端各項的正負號。
六、(10 分)畫出能帶圖,說明發(fā)光管的工作原理。
七、(10 分)畫出結(jié)型場效應(yīng)晶體管小信號等效電路圖,證明其截至
頻率為fco=gm/2πCG。式中gm 和CG 分別為跨導(dǎo)和柵電容。
七、(10 分)畫出結(jié)型場效應(yīng)晶體管小信號等效電路圖,證明其截至
頻率為fco=gm/2πCG。式中gm 和CG 分別為跨導(dǎo)和柵電容。
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